بدأت سامسونج للإلكترونيات تنفيذ أول مشروع من بين ثلاثة مشاريع كبرى ضمن مجموعة سامسونج، وهو مصنع جديد لذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) في حرم أونيانغ في كوريا الجنوبية.
يُتوقع أن يبدأ المصنع عمليات الإنتاج في يونيو 2028، أي قبل الموعد الأصلي بنحو عام، حيث ستنتج فيه سامسونج الجيل السابع من ذاكرة HBM، بما في ذلك HBM4E.
يضم المشروع غرفة نظيفة متعددة الطوابق بمساحة إجمالية تبلغ نحو 9,400 بيونغ، ويهدف إلى جعل الحرم قاعدة إنتاج محورية لذاكرة HBM المتقدمة.
استثمارات سامسونج في تشونغتشيونغ
تخطط مجموعة سامسونج لاستثمار 140 تريليون وون في منطقة تشونغتشيونغ، منها 56 تريليون وون تخصصها سامسونج للإلكترونيات لإنشاء خمسة خطوط إنتاج لذاكرة HBM في أونيانغ، بالإضافة إلى توسيع المرافق الداعمة في تشونان وتحديث مرافق الإنتاج القائمة.
كما تستثمر سامسونج ديسبلاي 67 تريليون وون في تطوير قاعدة إنتاج لشاشات الهواتف الذكية من الجيل التالي في آسان، بينما تخطط سامسونج إلكترو-ميكانيكس لاستثمار 8 تريليونات وون في سيجونغ لإنشاء خطوط إنتاج لركائز تغليف أشباه الموصلات.
بالإضافة إلى ذلك، تستثمر سامسونج إس دي آي 9 تريليونات وون في عمليات البطاريات في تشونان، مما يعكس استراتيجية المجموعة لتعزيز مكانتها في قطاعات التكنولوجيا المتقدمة.
